Фотоэлектрический эфект Основные формулы

• Изменение длины волны ∆λ , фотона при рассеянии его на элек­троне на угол θ Следствия из соотношений неопределённостей

 ∆λ=λ`-λ =[(2π ħ)/(mc)]*(1-cos θ), или ∆λ=2*[(2π ħ)/(mc)]*sin2(θ/2) 

где т — масса электрона отдачи; λ и λ`c длины волн»

• Комптоновская длина волны

λс=2π ħ/(mс). Генераторы импульсных сигналов Промышленная электроника

(При рассеянии фотона на электроне λc=2,436 пм.)

При контакте двух полупроводников с разным типом проводимости образуется область, обедненная носителями тока, так называемый р-п-переход. Если р-п-переход не освещен, то между полупроводниками возникает контактное электрическое поле, направленное от п-полупроводника к р-полупроводнику. На границе р- и п- области образуется потенциальный барьер, который препятствует движению основных носителей – электронов из п-области в р-область и дырок в противоположном направлении. Неосновные носители (дырки в п-области и электроны в р-области) могут быть увлечены полем р-п-перехода, образуя тем самым ток неосновных носителей.
Физика, математика лекции учебники курсовые студенту и школьнику