Фотоэлектрический эфект Основные формулы

• Давление, производимое светом при нормальном падении,

p=(Ee/c)*(1+ρ), или p=w(1+ρ),

где Ee облученность поверхности; с — скорость электромагнит­ного излучения в вакууме; w объемная плотность энергии излу­чения; ρ — коэффициент отражения. Соотношения неопределённости В классической физике исчерпывающее описание состояния частицы определяются динамическими параметрами, такими как координаты, импульс, момент импульса, энергия и др.

• Энергия фотона

 ε = =hc/λ , или ε = ħw ,

где hпостоянная Планка; ħ=h/(2π); υ - частота света; w — круговая частота; λ — длина волны.

• Масса и импульс фотона выражаются соответственно форму­лами Операционный усилитель Промышленная электроника

m=ε/c2 = h/(); p=mc=h/λ .

При контакте двух полупроводников с разным типом проводимости образуется область, обедненная носителями тока, так называемый р-п-переход. Если р-п-переход не освещен, то между полупроводниками возникает контактное электрическое поле, направленное от п-полупроводника к р-полупроводнику. На границе р- и п- области образуется потенциальный барьер, который препятствует движению основных носителей – электронов из п-области в р-область и дырок в противоположном направлении. Неосновные носители (дырки в п-области и электроны в р-области) могут быть увлечены полем р-п-перехода, образуя тем самым ток неосновных носителей.
Физика, математика лекции учебники курсовые студенту и школьнику