Фотоэлектрический эфект Основные формулы

Пример 1. Вычислить радиус первой орбиты атома водорода (Боровский радиус) и скорость электрона на этой орбите.

Решение. Согласно теории Бора, радиус r электронной ор­биты и скорость v электрона на ней связаны равенством тvr=пħ. Так как в задаче требуется определить величины, относящиеся к первой орбите, то главное квантовое число n=1 и указанное выше равенство примет вид

 mvr=ħ.  (1)

Для определения двух неизвестных величин r и v необходимо еще одно уравнение. В качестве второго уравнения воспользуемся уравнением движения электрона. Согласно теории Бора, электрон вращается вокруг ядра. При этом сила взаимодействия между электрическими зарядами ядра и электрона сообщает электрону центростремительное ускорение. На основании второго закона Нью­тона можем записать

 

Электронные устройства Промышленная электроника

(е и m заряд и масса электрона), или (2)

 

 

Совместное решение равенств (1) и (2) относительно r дает

r = 4πε0 ħ/(me2).

Подставив сюда значения ħ, е, т и произведя вычисления, най­дем боровский радиус:

r = а = 5,29*10-11 м.

Линейные параметрические цепи. Линейные спектра входного сигнала, при прохождении через линейные параметрические цепи. В линейных инвариантных цепях проходит только лишь деформация спектра, т.е. спектральная составляющая входного сигнала изменят лишь свою амплитуду, а новых спектральных составляющих нет. В связи с этим основные , наиболее интересные цепи на базе линейных инвариантных во времени цепях получить не удается (модуляцию, стабилизацию, детектирование и др.).

Из равенства (1) получим выражение скорости электрона на первой орбите:

 v = ħ /(mr).

Произведя вычисления по этой формуле, найдем

v = 2,18 Мм/с.

*Энергия ионизации, выраженная в электрон-вольтах, равна потенци­алу ионизации, выраженному в вольтах. Потенциалом ионизации называется ускоряющая разность потенциалов, которую должен пройти бомбардирую­щий электрон, чтобы приобрести энергию, достаточную для ионизации атома. 

При контакте двух полупроводников с разным типом проводимости образуется область, обедненная носителями тока, так называемый р-п-переход. Если р-п-переход не освещен, то между полупроводниками возникает контактное электрическое поле, направленное от п-полупроводника к р-полупроводнику. На границе р- и п- области образуется потенциальный барьер, который препятствует движению основных носителей – электронов из п-области в р-область и дырок в противоположном направлении. Неосновные носители (дырки в п-области и электроны в р-области) могут быть увлечены полем р-п-перехода, образуя тем самым ток неосновных носителей.
Физика, математика лекции учебники курсовые студенту и школьнику